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Características | |
CertificaciónCE, FCC, BSMI, VCCI, KC | |
calificación TBW320 | |
Tiempo medio entre fallos2000000 h | |
Comprobación de paridad de baja densidad (LDPC)Si | |
ECCSi | |
Compatibilidad con RAIDSi | |
Pistas de datos de interfaz PCI Expressx4 | |
Velocidad de escritura secuencial (AS SSD)2100 MB/s | |
Velocidad de lectura secuencial (AS SSD)3000 MB/s | |
Velocidad de escritura secuencial (CDM)2300 MB/s | |
Velocidad de lectura secuencial (CDM)3500 MB/s | |
Velocidad de escritura secuencial (ATTO)2350 MB/s | |
Velocidad de lectura secuencial (ATTO)3350 MB/s | |
Escritura aleatoria (4KB)380000 IOPS | |
Lectura aleatoria (4KB)390000 IOPS | |
Velocidad de escritura2350 MB/s | |
Velocidad de lectura3350 MB/s | |
Componente paraPC | |
NVMeSi | |
Tipo de memoria3D TLC | |
InterfazPCI Express 3.0 | |
SDD, capacidad512 GB | |
Factor de formato SSDM.2 | |
Versión NVM Express (NVMe)1.3 | |
Tipo de flash NANDTLC (Triple Level Cell) |